[CER-1] E-beam litográfia / E-beam lithography
Konzorciumi Partner / Consortium Partner | [CER] HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet |
|---|---|
Szolgáltatás kategóriája / Service category | |
Rövid leírás / Short description | Elektronsugaras litográfia 10nm-es felbontással megfelelő elektronsugaras resist-ben E-beam lithography with 10nm resolution in adequate e-beam resist |
Várható szállítási idő / Typical lead time | Változó, megrendeléskor számoljuk / Variable, calculated on ordering |
Irányár / Approx. cost | €2179 mintánként/per sample |
Kép / Image |
Leírás
Az E-beam litográfia szolgáltatás keretében a [CER] HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet nagyfelbontású elektronsugaras mintázást biztosít nano- és mikrostruktúrák előállításához. A technológia lehetővé teszi rendkívül finom, akár 10 nm nagyságrendű struktúrák közvetlen írását megfelelő e-beam rezisztben, maszk nélküli eljárással.
Az e-beam litográfia elsősorban kis darabszámú, nagy pontosságot igénylő alkalmazásokhoz ajánlott, ahol a geometriai felbontás és a mintázási flexibilitás kritikus szempont.
Description
The E-beam lithography service provides high-resolution electron beam patterning for the production of nano- and microstructures within the [CER] HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet nanoelectronics and photonics research center. The technology enables the direct writing of extremely fine structures on the order of 10 nm in suitable e-beam resist, using a maskless process.
E-beam lithography is primarily recommended for low-volume applications requiring high precision, where geometric resolution and patterning flexibility are critical factors.