[CER-5] RIE, DRIE maratás / RIE, DRIE etching

Konzorciumi Partner / Consortium Partner	[CER] HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet
Szolgáltatás kategóriája / Service category	Áttekintés: Mikromegmunkálási és litográfiai szolgáltatások / Overview: Microfabrication and lithography services
Rövid leírás / Short description	Reaktív ionmarás, Mély Reaktív Ionmarás (anyag- és mélységfüggő) Wafer méret: 4" Reactive ion etching, Deep Reactive Ion Etching (material and depth dependent) Wafer size: 4"
Várható szállítási idő / Typical lead time	Változó, megrendeléskor számoljuk / Variable, calculated on ordering
Irányár / Approx. cost	€60-480 szeletenként / per wafer
Kép / Image

Leírás

Az RIE, DRIE maratás szolgáltatás keretében a HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézete reaktív ionmarást (RIE) és mély reaktív ionmarást (DRIE) biztosít mikro- és nanofabrikációs alkalmazásokhoz. A technológia lehetővé teszi nagy pontosságú, irányított anyageltávolítást különböző félvezető és vékonyréteg anyagok esetén.

A szolgáltatás során a korábban litográfiával kialakított maszkstruktúra (pl. fotóreziszt vagy oxidréteg) szolgál marásálló rétegként, amelynek segítségével a kívánt mintázat nagy felbontással vihető át az aljzatba.

A szolgáltatás különösen alkalmas MEMS eszközök, mikroszenzorok, mikrofluidikai struktúrák és nanoelektronikai komponensek gyártásához, ahol a geometriai pontosság és a marási mélység kritikus követelmény.

A tevékenység magában foglalhatja: szilícium és egyéb anyagok száraz maratását, nagy oldalarányú (high aspect ratio) struktúrák kialakítását DRIE technológiával, marási paraméterek optimalizálását (gázkeverék, teljesítmény, idő), mikro- és nanostruktúrák profiljának ellenőrzését.

Description

Within the framework of the RIE, DRIE etching service, the HUN-REN Energy Science Research Centre's Institute of Technical Physics and Materials Science provides reactive ion etching (RIE) and deep reactive ion etching (DRIE) for micro- and nanofabrication applications. The technology enables high-precision, directional material removal for various semiconductor and thin-film materials.

During the service, the previously lithographically defined mask structure (e.g., photoresist or oxide layer) serves as an etch-resistant layer, allowing the desired pattern to be transferred into the substrate with high resolution.

The service is particularly suitable for manufacturing MEMS devices, microsensors, microfluidic structures, and nanoelectronic components, where geometric accuracy and etch depth are critical requirements.

The activity may include: dry etching of silicon and other materials, formation of high aspect ratio structures using DRIE technology, optimization of etching parameters (gas mixture, power, time), inspection of micro- and nanostructure profiles.